[发明专利]磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器在审
| 申请号： | 202211213504.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115932679A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高野大地;太田宪和;平林启;渡部司也 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器。MR元件包括第一磁性层、第二磁性层、和配置在第一磁性层与第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层的形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且第一磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第一磁化方向的磁化。第二磁性层的形状磁各向异性被设定在第二基准方向，且第二磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第二磁化方向的磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 装置 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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