[发明专利]采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路在审
| 申请号： | 202211191985.1 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115639451A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王来利;王天健;王见鹏;张缙;杨晓晨;吴宇薇;刘意 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/30;H03M1/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 钱宇婧 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，包括计算机、电压钳位电路及采样转换电路，被测器件的输出端与电压钳位电路的输入端相连接，电压钳位电路的输出端与采样转换电路的输入端相连接，采样转换电路的输出端及计算机相连接，该电路具有安全性高、精确性高、适用性广、快速性强以及成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 增强 nmos 电压 电路 功率 半导体 导通压降 测量 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211191985.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
