[发明专利]采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路在审
| 申请号： | 202211191985.1 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115639451A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王来利;王天健;王见鹏;张缙;杨晓晨;吴宇薇;刘意 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/30;H03M1/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 钱宇婧 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 增强 nmos 电压 电路 功率 半导体 导通压降 测量 | ||
1.一种采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，包括计算机、电压钳位电路及采样转换电路，被测器件(DUT)的输出端与电压钳位电路的输入端相连接，电压钳位电路的输出端与采样转换电路的输入端相连接，采样转换电路的输出端及计算机相连接。
2.根据权利要求1所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，所述电压钳位电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、稳压管(Dz)及辅助电源，其中，被测器件(DUT)的一端与第二电阻(R2)的一端及NMOS管的漏极相连接，NMOS管的漏极与稳压管(Dz)的一端及第二电阻(R2)的另一端相连接，稳压管(Dz)的另一端与第一电阻(R1)的一端相连接，第一电阻(R1)的另一端及被测器件(DUT)的另一端及辅助电源的负极均接地，辅助电源的正极与NMOS管的栅极相连接，NMOS管的栅极及辅助电源的负极与采样转换电路的输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，还包括滤波电容(Co)，其中，滤波电容(Co)的一端接地，滤波电容(Co)的另一端与NMOS管的栅极相连接。
4.根据权利要求2所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，被测器件(DUT)经第三电阻(R3)与第二电阻(R2)及NMOS管的漏极相连接。
5.根据权利要求2所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，第一电阻(R1)的阻值为数千欧姆以下。
6.根据权利要求1所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，所述采样转换电路包括模数转换器(ADC)、数字隔离器以及用于提供电能的正电源及负电源，其中，电压钳位电路的输出端与模数转换器(ADC)的输入端相连接，模数转换器(ADC)的输出端与数字隔离器的输入端相连接，数字隔离器的输出端与计算机相连接。
7.根据权利要求6所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，还包括信号处理电路；信号处理电路的输入端与电压钳位电路的输出端相连接，信号处理电路的输出端与模数转换器(ADC)的输入端相连接。
8.根据权利要求7所述的采用增强型NMOS电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路，其特征在于，所述信号处理电路为差分放大电路或比例放大电路。
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