[发明专利]一种用于改善深紫外LED空穴激活效率的外延生长方法在审
| 申请号： | 202211180117.3 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115411157A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张骏;张毅;岳金顺;陈云;陈景文 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 张杰 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善深紫外LED空穴激活效率的外延生长方法，包括如下步骤：S1，制备深紫外LED外延片；S2，在氮气氛围下，对深紫外LED外延片进行若干周期的原位退火；S2步骤的单一原位退火周期中，腔体压力或者氮气流量中任一工艺参数呈先降低后升高趋势变化。本发明通过设置周期退火阶段，调整氮气流量或腔体压力，不仅提高了Mg的激活效率，还能够促使H解离后的副产物及时排出反应腔，有效防止Mg和H的二次成键，使深紫外LED器件的发光效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 深紫 led 空穴 激活 效率 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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