[发明专利]硅晶圆表面凹槽的填平方法在审
| 申请号： | 202211180066.4 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN115513076A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李天成;叶武阳;刘佳晶;孙宣;刘耀聪 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 郭婷 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅晶圆表面凹槽的填平方法，包括如下步骤，S1、通过化学气相沉积的方法在硅晶圆上沉积一层阻挡层；S2、在硅晶圆上沉积一层填充层；S3、采用化学机械研磨的方法，控制研磨温度在30°‑40°之间，利用研磨液，对硅晶圆表面除凹槽内部之外的填充层进行抛磨，由阻挡层保护硅晶圆；S4、不断地重复步骤S2与步骤S3，直到凹槽内部被阻挡层与填充层填满；S5、采用干法刻蚀，将阻挡层与多余的填充层去除。通过采用高选择比的研磨液，在填充凹槽时，不受晶圆尺寸的限制并且晶圆中心部分和边缘部分的均匀性也能得到控制。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 表面 凹槽 填平 方法 | ||
【主权项】：
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