[发明专利]对批量PD芯片的老化测试方法、电路及系统在审

专利信息
申请号: 202211111616.7 申请日: 2022-09-13
公开(公告)号: CN115421026A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 冯建超;傅焰峰;严杰;刘智航 申请(专利权)人: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 费雅倩
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种对批量PD芯片的老化测试方法、电路及系统,涉及PD芯片测试领域。该方法的步骤包括:分别为每片PD芯片串联至少一块测试采样电阻和一个运算放大器后,为每片PD芯片输出相同的老化电压进行老化测试,测试过程中通过运算放大器来保证每片PD芯片的电压相同,老化测试过程中,实时输出测试数据。本发明在对批量的PD芯片进行老化测试时,能够保证每片PD芯片上的电压相同,进而保证每片PD芯片的老化条件一致,以此来提高测试数据的准确性,保证测试的可靠程度。
搜索关键词: 批量 pd 芯片 老化 测试 方法 电路 系统
【主权项】:
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