[发明专利]一种二极管器件在审
| 申请号： | 202211102827.4 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116525644A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 祁金伟;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 赵红凯 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种二极管器件，包括：第一掺杂类型的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第一掺杂类型的电场终止层；形成在电场终止层之上的第一掺杂类型的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的第一掺杂类型的漂移区，以及形成在漂移区内间隔排列的多个第二掺杂类型的柱区；形成在漂移区上方的第二掺杂类型的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；二极管器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑二极管器件在关断过程拖尾电流带来的关断能量损耗较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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