[发明专利]一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法在审
| 申请号： | 202211097581.6 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115821381A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 唐为华;田亚文;李山 | 申请（专利权）人： | 北京镓和半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京卓胜佰达知识产权代理有限公司 16026 | 代理人： | 杨洋 |
| 地址： | 101407 北京市怀柔区雁栖经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓单晶的制备方法，其特点在于使用氧化锆作为坩埚容器，通过第一发热体镓金属和第二发热体氧化镓锆坩埚的共同作用使氧化镓原料熔化，进而实现无铱金生长的氧化镓单晶。本发明操作简单有效，避免了贵金属铱金的使用，极大的降低了氧化镓单晶的制备成本，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 坩埚 制备 氧化 镓单晶 方法 | ||
【主权项】：
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