[发明专利]一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构、制备方法及其应用

摘要

本发明公开了一种铜锌锡硫微纳二级阵列结构，其由规则排列的微米级半导体球冠、和在球冠表面辐射状生长的半导体纳米管构成，所述半导体为具有单晶结构的铜锌锡硫；所述规则排列的微米级球冠的直径为0.05‑50μm，球冠之间的间隔为0.01‑100μm。微纳二级阵列结构中辐射状生长的半导体纳米管具有较大的比表面积，对光的吸收较纳米线阵列有明显的增强；同时由于微米级半导体球冠外侧纳米管呈辐射状生长，使得从各个角度入射的光线都能够得到很好的吸收，降低了微纳二级阵列对光线入射角度的敏感性。本发明微纳二级阵列结构在光伏领域应用时能够增大太阳能电池对光的吸收，降低太阳能电池成本，提高太阳能电池光电转换效率。