[发明专利]受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法在审
| 申请号： | 202211076962.6 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115411190A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;劳婕;蒋纯莉;罗春花 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;G06N3/04;G06N3/063 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法，其特点下电极上依次旋涂无铅钙钛矿薄膜、有机铁电聚合物薄膜和沉积有机半导体薄膜为活性功能层，然后在功能层上热蒸镀上电极，构成垂直层状结构自供电湿度调控的两端人工突触器件，其制备具体包括：旋涂液的制备、无铅钙钛矿薄膜和有机铁电聚合物薄膜的旋涂和有机半导体薄膜的蒸镀及上电极的蒸镀。本发明与现有技术相比具有自供电、全光调控以及湿度调控在同一器件内同时实现兴奋性和抑制性突触行为等优点，能够在特定波长的光刺激作用下模拟典型的生物突触功能，可应用于构建人工神经网络系统，制备方法简单易行、成本低，且安全、环保。 | ||
| 搜索关键词： | 湿度 调节 两端 无铅钙钛矿 人工 突触 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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