[发明专利]基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法在审
| 申请号： | 202211076185.5 | 申请日： | 2022-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN115394920A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李林军;朱焕峰;张天 | 申请（专利权）人： | 浙江大学嘉兴研究院;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 李亦慈;唐银益 |
| 地址： | 314031 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于二维铁电材料的忆阻神经突触器件及调控方法，器件由下至上依次包括衬底1、底电极2、功能层3、顶电极4。该功能层采用具有室温的面外铁电性的单晶二维原子晶体CuInP |
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| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 神经 突触 器件 调控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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