[发明专利]一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体抗水氧改性方法有效

专利信息
申请号: 202211065036.9 申请日: 2022-09-01
公开(公告)号: CN115477309B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 王兵;杜贻昂;王应德;邵长伟;王小宙;韩成;龙鑫;李威 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: C01B35/14 分类号: C01B35/14;C01B21/087
代理公司: 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 代理人: 邱轶
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种高陶瓷产率的无碳氮化硼先驱体抗水氧改性方法,该先驱体为sp3杂化的硼氮桥连接的六元环结构先驱体,相比于现有技术中六元环结构的先驱体,本发明sp3杂化的硼氮桥结构为六元环提供了更多的共用电子,对缺电子结构的硼氮六元环起到稳定作用,提高了先驱体的抗水氧性能,使得先驱体存储、成型与加工过程不要求惰性气氛保护,有利于简化陶瓷成型加工工艺,降低生产成本。该抗水氧改性方法首先以氨硼烷和硼吖嗪为原料,将sp3杂化的硼氮化合物分别接枝到sp2杂化的硼吖嗪上,形成p‑π共轭结构,然后利用硼吖嗪与上一步制备的白色固体,通过进一步的反应交联,提高无碳先驱体的分子量与陶瓷产率,最终制备得到无碳氮化硼先驱体。
搜索关键词: 一种 陶瓷 氮化 先驱 体抗水氧 改性 方法
【主权项】:
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