[发明专利]一种底电极激发式声表面波器件结构在审
| 申请号： | 202211053125.1 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115296639A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 于海洋;康绍峥;张倩;倪烨;李希雯;周培根 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 牟森 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种底电极激发式声表面波器件结构，包括支撑衬底层、绝缘层和压电材料层；所述支撑衬底层上设置有所述绝缘层，所述绝缘层的厚度小于所述支撑衬底层的厚度，所述压电材料层设置于所述绝缘层上，所述绝缘层内间隔设置有叉指换能器结构和输入/输出电极结构，且所述输入/输出电极结构连接端延伸出所述压电材料层或所述支撑衬底层并形成焊球或者焊点，所述焊球或者焊点位于所述支撑衬底层表面或压电材料层表面。本发明能有效的减少声表面波器件受到外部环境的影响，也可实现温补作用以控制器件的温漂在合适范围内，此外，相关器件在Q值也有大幅提升并适用于硅基半导体加工工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 激发 表面波 器件 结构 | ||
【主权项】：
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