[发明专利]补偿高阶套刻误差的方法在审
| 申请号： | 202211048350.6 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115453828A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 郑鸿柱;周文湛;张瑜;邹文伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种补偿高阶套刻误差的方法，包括：步骤一、计算曝光后的晶圆的各段工艺制程引入的第一套刻误差。步骤二、将第一套刻误差中的晶圆级的线性套刻误差剥离并形成曝光区域级的第二套刻误差。步骤三、根据第二套刻误差对光罩写入进行修正并进行光罩写入得到修正后的光罩。步骤四、采用修正后的光罩进行晶圆的曝光以补偿高阶套刻误差。本发明能补偿高阶套刻误差且能保证工艺过程中造成的套刻误差得到完全补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 高阶套刻 误差 方法 | ||
【主权项】：
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