[发明专利]补偿高阶套刻误差的方法

权利要求书

1.一种补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、计算曝光后的晶圆的各段工艺制程引入的第一套刻误差；

步骤二、将所述第一套刻误差中的晶圆级的线性套刻误差剥离并形成曝光区域级的第二套刻误差；

步骤三、根据所述第二套刻误差对光罩写入进行修正并进行所述光罩写入得到修正后的光罩；

步骤四、采用所述修正后的光罩进行晶圆的曝光以补偿高阶套刻误差。

2.如权利要求1所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：步骤一包括如下分步骤：

采用修正前的光罩对所述晶圆进行曝光；

对曝光后的所述晶圆进行测量得到各层套刻误差数据；

对所述各层套刻误差数据进行软件拟合计算出所述晶圆的各段所述工艺制程引入的所述第一套刻误差。

3.如权利要求1所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：步骤二中，还包括：根据所述第二套刻误差计算出特征分布值。

4.如权利要求1或2或3所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：步骤三包括如下分步骤：

将所述特征分布值导入到直写软件；

在所述直写软件的控制进行所述光罩写入。

5.如权利要求4所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：步骤四完成之后，进行重复步骤一至步骤四的迭代运算。

6.如权利要求5所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：还包括：

通过所述迭代运算建立第一数据库；

通过所述第一数据库建立各所述工艺制程和套刻误差变异的关系模型。

7.如权利要求6所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：还包括：

将所述关系模型引入到直写软件中；

所述直写软件根据所述关系模型和所述工艺制程得到所述光罩写入中的修正量并进行所述光罩写入。

8.如权利要求6所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：在相同工艺平台且所述工艺制程稳定的工艺中，采用相同的所述关系模型进行光罩修正。

9.如权利要求7所述的补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于：所述第一数据库中的数据包括各次所述迭代运算中得到的各段所述工艺制程的所述第一套刻误差、所述第二套刻误差或所述特征分布值。