[发明专利]一种无边缘缺陷的光刻掩模优化方法及系统有效
申请号: | 202211040885.9 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN115327850B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 尉海清;柯贤华 | 申请(专利权)人: | 武汉宇微光学软件有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;G06F30/398 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 邓彦彦;廖盈春 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种无边缘缺陷的光刻掩模优化方法及系统,通过奇切分和偶切分两套网格错位切分获得切片,并在单个迭代过程中依次进行奇切分和偶切分所得切片掩模图形一次修正,循环执行迭代过程,直至所有切片满足误差要求,以此来消除边界效应影响,两套切分网格包含不同的分区组成,其中奇切分所得切片ROI内部包含了偶切分所得切片ROI的边界,偶切分所得切片ROI内部包含了奇切分所得ROI的边界,这样可以将奇切分得到的切片ROI边界图形放在偶切分切片ROI内部进行准确优化,同理,偶切分得到的切片ROI边界图形也可以在奇切分切片ROI内部进行准确优化,避免了传统掩模优化方法单次切分掩模版图带来的边缘缺陷问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 边缘 缺陷 光刻 优化 方法 系统 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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