[发明专利]一种晶体硅电池侧边钝化涂层及钝化方法在审
| 申请号： | 202211035492.9 | 申请日： | 2022-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN115360246A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈剑辉;张旭宁;王笑;李文恒;陈兵兵;郭建新;高青;陈静伟;王淑芳 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;C09D187/00 |
| 代理公司： | 石家庄领皓专利代理有限公司 13130 | 代理人： | 薛琳 |
| 地址： | 071000 河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅电池技术领域，提出了一种晶体硅电池侧边钝化涂层，包括(2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基)膦酸溶液和活性剂，直接涂刷涂在晶体硅的侧面即可。通过上述技术方案，降低了由于激光切割导致晶体硅电池侧边复合的影响，提高组件的功率转换效率工艺简单、成本低廉、可实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 电池 侧边 钝化 涂层 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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