[发明专利]基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211029868.5 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115275782A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 杨旭;郭丁凯;蔡建新 | 申请（专利权）人： | 武汉仟目激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张小丽 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片的制备方法，包括如下步骤：S1，选取P型衬底，并于P型衬底上生长多对P型布拉格反射镜；S2，生长完毕后接着在P型布拉格反射镜上生长多组量子阱作为发光区，发光区包括一组或多组隧道结和氧化层；S3，接着于发光区上生长多对N型布拉格反射镜；S4，生长完毕后在N型布拉格反射镜上生长表面高掺杂的接触层。还包括一种基于P衬底生长的激光雷达多结VCSEL阵列芯片。本发明通过P衬底生长P型布拉格反射镜，使得热源更靠近导热率良好的热沉基板，将VCSEL器件工作中产生的热量迅速散掉，降低结区温度，有助于减小有源区的增益曲线随温度的漂移量，从而保证从基板温度从常温到高温均具有较高的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 生长 激光雷达 vcsel 阵列 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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