[发明专利]非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211024380.3 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115290195A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 黄立;王雅琴;叶帆;王春水;高健飞 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 宋宝焱 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于非制冷红外探测器技术领域，具体为非制冷红外探测器的阵列级真空封装结构及其制备方法。本发明采用阵列级真空封装结构，阵列级真空封装能降低非制冷红外探测器的尺寸、成本和重量。阵列级真空封方法采用MEMS工艺制备，不引入额外的物料配件，且制备工艺与非制冷红外结构工艺完全兼容，不需要额外搭建产线，缩减了封装的步骤流程和成本，同时利于芯片微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 制冷 红外探测器 阵列 真空 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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