[发明专利]光掩模修正装置及方法在审
| 申请号： | 202211023392.4 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116413997A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 梁孝源;尹铉;郑志勳;郑仁基;崔基熏;金泰熙;吴世勳 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种能够提高光掩模的精度的光掩模修正方法。该光掩模修正方法包括：测量激光的强度轮廓(intensity profile)；利用库来获取与所测量的强度轮廓对应的蚀刻量数据；基于蚀刻量数据确定激光的工艺参数；以及根据所确定的工艺参数，用激光来修正光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 修正 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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