[发明专利]横截面呈十字形的硅单晶棒及其生长装置和生长方法有效
| 申请号： | 202211020887.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115354388B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 许堃;李涛勇;吴超慧 | 申请（专利权）人： | 宇泽半导体（云南）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 任燕妮 |
| 地址： | 675000 云南省楚雄*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体及光伏领域，公开了横截面呈十字形的硅单晶棒及其生长装置和生长方法。硅单晶棒生长装置，包括：炉体，由外至内设置在炉体内的隔热组件、分区加热机构、支撑坩埚和石英坩埚，以及从炉体的顶部伸入炉体内且与坩埚的轴线对应的提拉机构，提拉机构伸入炉体内的端部用于连接籽晶；分区加热机构以及支撑坩埚和石英坩埚的横截面呈十字形，三者同轴设置；炉体上设置有可从炉体的外部监测到其内部晶体生长信息的监测窗。硅单晶棒生长方法，包括采用上述装置实施硅单晶棒的生长。硅单晶棒，采用上述方法生长得到，该硅单晶棒的横截面呈十字形，其具有生产效率高、成本低，热应力小、产品质量高，利用率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 横截面 十字形 硅单晶棒 及其 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇泽半导体（云南）有限公司，未经宇泽半导体（云南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211020887.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种除尘排渣一体化系统
- 下一篇：反射式液晶显示屏
