[发明专利]补偿电路元件中的沉积不均匀性在审
| 申请号： | 202211009872.5 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115480457A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | B.J.伯克特;R.巴伦德斯 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/70;H01L39/24;B82Y10/00;B82Y40/00;C23C14/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造诸如量子计算电路元件的电路元件的方法，包括：获得包括表征一个或多个掩模特征的掩模信息的光刻掩模写入文件；获得均匀性函数，该均匀性函数被配置为修改该掩模信息以补偿不均匀的沉积过程；将均匀性函数应用于光刻掩模写入以获得修改的光刻掩模写入文件；和按照修改的光刻掩模写入文件的指示执行光刻。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 电路 元件 中的 沉积 不均匀 | ||
【主权项】：
暂无信息
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