[发明专利]一种隔离式SONOS pFLASH开关单元结构在审
| 申请号： | 202210987721.0 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115240740A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵伟;魏敬和;刘国柱;魏轶聃;魏应强;隋志远;刘美杰;周颖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/14 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种隔离式SONOS pFLASH开关单元结构，属于微电子领域，包括SONOS pFLASH编程/擦除管T11和T12、pMOS型选择管T21、pMOS型隔离管T22和pMOS型信号传输管T3；T11的源端、T21的源端、T22的漏端三端互连；T21的漏端与T12的源端连接；T22的源端与T3的栅端连接；T11、T12、T21和T22位于同一n阱中。本发明采用间接耦合型结构，SONOSpFLASH编程/擦除管采用带带隧穿编程方式和福勒－诺德海姆擦除方式分别实现其电位传递与电位阻断功能，可以减少隧道氧化层损伤，避免过擦除导致器件失效的异常现象，有利于提高其耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 sonos pflash 开关 单元 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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