[发明专利]一种晶硅生长用坩埚网格结构在审
| 申请号： | 202210987698.5 | 申请日： | 2022-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN115216833A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 孟庆超;夏新中;潘明翠;张莉沫;张任远;李英叶;张丽娜 | 申请（专利权）人： | 英利能源发展有限公司;英利能源发展(天津)有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 河北磅礴律师事务所 13139 | 代理人： | 张建旗 |
| 地址： | 071000 河北省保定*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及晶体硅生产技术领域，具体公开了一种晶硅生长用坩埚网格结构，设置在坩埚内，该网格结构包括若干间隔排列的条形凸起，所述条形凸起的凸起面呈圆弧状，所述条形凸起的高度为1～10mm，宽度为1～10mm，相邻的所述条形凸起间隔≥30mm；所述网格结构设置于坩埚的内部表面熔体流速最大的区域，产生降低坩埚内壁表面附近熔体流速的作用力，抑制坩埚杂质向熔体内的扩散。本发明的结构能使坩埚内的高温硅熔体流动速度减缓，从而减少对坩埚和涂层的冲刷，同时可以部分隔绝熔体与壁面的接触，降低了硅与坩埚的反应面积，最终达到降低内壁表面的化学反应速度和杂质向熔体扩散速度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 坩埚 网格 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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