[发明专利]在外围区包含触点的设备和其形成方法在审
| 申请号： | 202210975373.5 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115715085A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 中荣丰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 任超 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及在外围区包含触点的设备和其形成方法。描述用于制造半导体存储器装置的设备和方法。实例方法包含：形成第一互连件；在外围区中在所述第一互连件上方形成第一介电层；移除所述第一介电层的部分以在所述外围区中形成穿过所述第一介电层的第一开口，进而暴露所述第一开口底部的所述第一互连件；在所述外围区中沉积第一导电材料以在所述第一开口中形成第一触点部分；在所述外围区中在所述第一介电层和所述第一触点部分上形成第二介电层；移除所述第二介电层的第二部分以穿过所述第二介电层形成第二开口，进而暴露所述第二开口底部的所述第一触点部分；沉积第二导电材料以在所述对应第一开口中形成多个第二触点部分；和在所述第二触点部分上形成第二互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 外围 包含 触点 设备 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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