[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统在审
| 申请号： | 202210974266.0 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115715088A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治;金承允;韩智勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括交替层间绝缘层和栅电极的堆叠结构、垂直穿透堆叠结构并在第一方向上延伸以在第二方向上分离栅电极的分离结构、以及垂直穿透堆叠结构并以恒定节距布置的垂直结构。在平面图中，垂直结构沿着远离分离结构一侧在第二方向上顺序布置的阵列线布置。垂直结构包括沟道结构、接触结构和虚设结构，沟道结构具有沟道层，接触结构包括金属插塞并具有在比沟道结构的上表面的水平高的水平的上表面，虚设结构与接触结构相邻地设置。沟道结构、虚设结构和接触结构被设置为在至少一条阵列线上彼此对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】：
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