[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一结构，包括基板、在所述基板上的电路元件、以及电连接到所述电路元件的下布线结构；以及

在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括：

导电板层；

堆叠结构，包括交替堆叠在所述导电板层上的层间绝缘层和栅电极；

分离结构，在垂直方向上穿透所述堆叠结构并在垂直于所述垂直方向的第一方向上延伸，以分离所述栅电极；

垂直结构，在所述垂直方向上穿透所述堆叠结构，所述垂直结构包括分别包括沟道层的沟道结构、分别包括金属插塞的接触结构、以及虚设结构；以及

位线，在所述堆叠结构上，电连接到所述沟道结构并在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中：

至少一个所述接触结构与至少一个所述分离结构的至少一侧相邻地设置，

至少一个所述虚设结构与所述至少一个接触结构相邻地设置，

所述沟道结构在所述第一方向上以第一节距布置，所述至少一个接触结构在所述第一方向上从与其相邻的所述至少一个虚设结构以第二节距布置，以及

所述第一节距和所述第二节距基本上彼此相等。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述垂直结构布置在沿所述第一方向延伸的多条阵列线上，以及

所述多条阵列线远离所述至少一个分离结构的所述至少一侧在所述第二方向上以恒定间隔布置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述沟道结构、所述至少一个虚设结构和所述至少一个接触结构被设置为在所述多条阵列线阵列当中的至少一条阵列线上在所述第一方向上彼此对齐。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述至少一条阵列线是第一阵列线，所述第一阵列线在平面图中在所述多条阵列线中最靠近所述至少一个分离结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一阵列线上的所述至少一个虚设结构在平面图中在所述第一方向上设置在所述沟道结构与所述至少一个接触结构之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述至少一个分离结构具有在所述第二方向上彼此面对的第一表面和第二表面，以及

所述至少一个接触结构包括与所述第一表面相邻的至少一个第一接触结构和与所述第二表面相邻的至少一个第二接触结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述虚设结构包括：

至少一个第一虚设结构，设置在所述至少一个第一接触结构周围；以及

至少一个第二虚设结构，设置在所述至少一个第二接触结构周围。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述至少一个接触结构包括在所述第一方向上彼此相邻的第一接触结构和第二接触结构，以及

所述第一接触结构和所述第二接触结构通过从所述第一接触结构和所述第二接触结构的上部水平地延伸的连接图案电连接到彼此。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个接触结构包括至少一个源极接触结构和至少一个贯穿接触结构中的至少之一，所述至少一个源极接触结构与所述导电板层接触，所述至少一个贯穿接触结构在所述垂直方向上穿过所述导电板层连接到所述下布线结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述堆叠结构包括其中布置有所述垂直结构的存储单元阵列区和其中所述栅电极形成台阶结构的连接区，以及

所述至少一个接触结构被设置为在所述存储单元阵列区中在所述垂直方向上穿透所述栅电极当中的最上面的栅电极和最下面的栅电极。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述至少一个贯穿接触结构在所述垂直方向上与穿透所述导电板层的下贯穿图案重叠，并且所述至少一个贯穿接触结构穿透所述下贯穿图案。