[发明专利]一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210971243.4 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115483274A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 陆小力;马晓华;何云龙;郑雪峰;郝跃;李园 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/861;H01L21/288 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管，包括：由下至上依次设置的阴极金属电极、衬底层和漂移层；所述漂移层上设置有多个P型SOG介质结构，所述P型SOG介质结构表面和多个所述P型SOG介质结构的间隔之间具有阳极金属电极。本发明还提供一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管的制备方法。本发明通过B掺杂的SOG形成P型SOG介质结构作为场终端，可以调制器件沟道内电场分布，降低阳极金属电极边缘电场峰值，以提升器件击穿电压，能够大幅降低阳极金属电极的反向泄漏电流。此外，P型SOG介质结构为物理旋涂SOG的方式形成P型介质，避免了设备沉积时辉光引入的损伤，制备过程简单易实现，有效降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sog 氧化 终端 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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