[发明专利]一种砷化镓电池散热结构在审
| 申请号： | 202210960137.6 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115274905A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 史博鑫 | 申请（专利权）人： | 史博鑫 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人： | 李桂玲;孙福春 |
| 地址： | 102200 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体，所述第二导体连接所述电源正极。本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 电池 散热 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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