[发明专利]红外探测器在审
申请号: | 202210954877.9 | 申请日: | 2022-08-10 |
公开(公告)号: | CN115295640A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 郑军;刘智;左玉华;成步文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 鄢功军 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器,包括:N型硅衬底;光吸收层,设置于N型硅衬底上的部分区域,适用于吸收入射光;P型掺杂层,设置于光吸收层上,P型掺杂层设置有一凹陷区,凹陷区暴露光吸收层;光栅结构,设置于凹陷区内,光栅结构和P型掺杂层都与光吸收层顶部相连,光栅结构适用于通过对入射光进行折射以改变入射光的角度,使入射光沿光吸收层的水平方向传播。通过设置光栅结构可以改变入射光的方向,增加光吸收层吸收光的效率,有效降低光吸收层的厚度。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的