[发明专利]基于SiC器件的老化试验平台及退化原因的分辨方法在审

专利信息
申请号: 202210924234.X 申请日: 2022-08-01
公开(公告)号: CN115236479A 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 杜泽晨;杨霏;刘瑞;张文婷;安运来;牛喜平;桑玲;魏晓光 申请(专利权)人: 国网智能电网研究院有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01N23/2251
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李静玉
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种基于SiC器件的老化试验平台及退化原因的分辨方法,该平台包括恒温箱、电源模块、信号采集装置以及信号处理装置;恒温箱用于为待测SiC器件提供预设温度;电源模块用于为待测SiC器件提供脉冲电流;信号采集装置用于采集待测SiC器件重复脉冲电流试验前的静态特性参数、重复脉冲电流试验后的静态特性参数和动态特性参数以及裂片后的扫描电镜断面图像;信号处理装置用于判断待测SiC器件的退化原因是否包含双极退化或栅氧退化。通过实施本发明,将待测SiC器件置于恒温箱中,能够提高测量的静态特性参数和动态特性参数的准确性,在判断退化原因时,加入了裂片后的扫描电镜断面图像,从而使得判断结果更加准确。
搜索关键词: 基于 sic 器件 老化试验 平台 退化 原因 分辨 方法
【主权项】:
暂无信息
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