[发明专利]一种非侵入式超高密度脑电采集电极在审
| 申请号： | 202210914567.4 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115153564A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 明东;马真;许敏鹏;孟佳圆;尤佳 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | A61B5/291 | 分类号： | A61B5/291;A61B5/256;A61B5/262 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非侵入式超高密度脑电采集电极，其结构包括空心圆柱电极装置(1)和针状电极装置(2)，所述针状电极装置(1)套装在所述空心圆柱电极装置(2)上，所述针状电极装置(1)为相对所述空心圆柱电极装置(2)上下滑动的可拆卸组合结构整。与现有技术相比，本发明极大地减小了非侵入式脑电采集电极的尺寸，可用于非侵入式超高密度BCI系统的设计，将电极间距减小至毫米级别，以提高非侵入式脑电信号的空间分辨率；同时提高了非侵入式超高密度脑电采集电极在使用时的稳定性和易用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侵入 超高 密度 采集 电极 | ||
【主权项】：
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