[发明专利]光栅激光器及制备方法在审
| 申请号： | 202210876197.X | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115149399A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 李振宇;剌晓波;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光栅激光器及制备方法，该光栅激光器包括：InP衬底；InP缓冲层，形成于InP衬底的一侧；下限制层，形成于InP缓冲层上；多量子阱层，形成于下限制层上；上限制层，形成于多量子阱层上；InP间隔层，形成于上限制层上；刻蚀停止层，形成于InP间隔层上；三个间隔设置的腐蚀层，每个腐蚀层包括：InP层，形成于刻蚀停止层上；InGaAs层，形成于InP层上；其中，三个腐蚀层沿着预设方向延伸，相邻的两个腐蚀层与两个腐蚀层之间的刻蚀停止层形成矩形槽结构；氧化硅钝化牺牲层，形成于矩形槽结构的侧壁和底部；多个光栅填充层，多个光栅填充层沿着预设方向依次排布在矩形槽结构中，多个光栅填充层形成布拉格光栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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