[发明专利]单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统

摘要

本发明为一种单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统，直流固态断路器包括SiC MOSFET驱动电路、SiC MOSFET器件M1～Mn、驱动电阻Rg1～Rgn、二极管D1～Dn‑1、RCD缓冲电路、压敏电阻MOV和压敏电阻MOVcs；SiC MOSFET驱动电路的一端与SiC MOSFET器件M1的源极连接，SiC MOSFET驱动电路的输出端通过驱动电阻Rg1与SiC MOSFET器件M1的栅极连接；SiC MOSFET驱动电路的输出端同时串联有二极管D1～Dn‑1，二极管D1～Dn‑1通过各自的驱动电阻分别与SiC MOSFET器件M2～Mn的栅极连接；SiC MOSFET器件M2～Mn各连接一个稳压二极管，稳压二极管的阳极与SiC MOSFET器件的源极相连，稳压二极管的阴极与SiC MOSFET器件的栅极相连。解决了器件的栅极振荡问题，降低了导通损耗。