[发明专利]表面光洁度改善型屏蔽料、制备方法和半导电屏蔽制品在审

专利信息
申请号: 202210870905.9 申请日: 2022-07-22
公开(公告)号: CN115093639A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 伍国兴;章彬;巩俊强;徐曙;张成巍;侯帅;傅明利;黎小林;贾磊;展云鹏;朱闻博;惠宝军;冯宾;张逸凡 申请(专利权)人: 深圳供电局有限公司;南方电网科学研究院有限责任公司
主分类号: C08L23/08 分类号: C08L23/08;C08K3/04;C08K3/14
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 胡哲
地址: 518001 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种表面光洁度改善型屏蔽料、制备方法和半导电屏蔽制品。表面光洁度改善型屏蔽料主要通过质量份数分别为55份~65份的基体树脂、20份~30份的导电炭黑、1份~10份的Ti3C2MXene、0.5份~2份的分散剂、3份~6份的功能助剂以及0.9份~2份的交联剂制成。其中,Ti3C2MXene表面具有极性官能团,与基体树脂有良好的相容性,可以提高导电炭黑在基体树脂中的分散性,减少屏蔽料表面的凸起,改善屏蔽料的表面光洁度,同时还可以提高屏蔽料的力学性能。
搜索关键词: 表面光洁度 改善 屏蔽 制备 方法 导电 制品
【主权项】:
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