[发明专利]一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法在审
| 申请号： | 202210869391.5 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115902597A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 高立;杨迪;李旭;周钦沅;吕贤亮;贺峤;刘晨 | 申请（专利权）人： | 中国电子技术标准化研究院 |
| 主分类号： | G01R31/307 | 分类号： | G01R31/307;G01R31/311;G01R31/28;G01N23/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 王兆波 |
| 地址： | 100011 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，本方法对利用研磨技术得到的BGA/LGA器件基板版图进行分析和采用X射线技术，确定绑定线和器件焊球的一一对应关系，为器件背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件背面EMMI分析。在进行集成电路背面EMMI时，首先要实现正确地电性连接，因IO端口众多且绑定线先通过基板重新布线，再和外部焊点相连。本发明能够快速、简便地获得BGA/LGA器件绑定线和外部焊点的一一对应关系，从而给BGA/LGA器件路背面EMMI提供准确的电性连接，实现BGA/LGA器件的背面EMMI失效分析，扩大集成电路背面EMMI失效分析的适用性，减少集成电路背面EMMI的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bga lga 器件 背面 emmi 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
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