[发明专利]一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法

权利要求书

1.一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

第一步对BGA/LGA器件进行伏安特性测试，得到失效管脚的伏安特性曲线，并确定外部焊点中的失效管脚的位置；

第二步，将失效的BGA/LGA器件的外部焊点磨去，露出焊盘及通孔，根据BGA/LGA器件的数据手册，确定失效管脚的焊盘及通孔位置，并对该层版图进行拍照；

第三步，对BGA/LGA器件的失效管脚的基板进行研磨，露出覆铜层，并确定失效管脚通孔在覆铜层位置；

第四步，重复第三步的基板研磨，进行逐层研磨直至露出基板上最后一层的金属布线，并确认失效管脚通孔所在位置；

第五步，对失效管脚通孔所在的金属布线进行伏安曲线测试获得伏安曲线，并与第一步获得的伏安特性曲线进行对比确认；

第六步，对BGA/LGA器件进行X光拍照，确定和失效管脚通孔相连的金属布线所连接的绑定线位置，并记录该位置；

第七步，将最后一层金属布线研磨去掉，露出硅片衬底和绑定线头，找到第六步所记录的绑定线位置；

第八步，将探针扎到失效管脚的绑定线头端和电源或地端，实现正确加电；

第九步，进行背面EMMI；通过背面EMMI实现绑定线和外部焊点的一一对应，从而给集成电路背面EMMI提供准确的电性连接，实现集成电路的背面EMMI失效分析。

2.根据权利要求1所述的一种BGA/LGA器件背面EMMI失效分析方法，其特征在于，第五步中，第五步的伏安曲线与第一步获得的伏安特性曲线相同或相近则进行第六步；若不相同则有两种可能：一)失效管脚定位有误，则需对比第二步至第五步得到的基板版图，重新确认失效管脚位置；二)失效位置位于基板而不在芯片；。