[发明专利]一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用在审

专利信息
申请号: 202210869146.4 申请日: 2022-07-22
公开(公告)号: CN115124080A 公开(公告)日: 2022-09-30
发明(设计)人: 曹澥宏;毋芳芳;郑冬;王有为 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C01G31/02 分类号: C01G31/02;H01M4/485;H01M10/054;B82Y40/00
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 葛天祥
地址: 310000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种钒氧化物纳米片阵列及其制备方法、应用,所述制备方法包括将V2O5和还原剂于反应介质中发生还原反应,制得所述钒氧化物纳米片阵列。本发明通过将前驱体商业V2O5于温和的反应条件下还原制得钒氧化物纳米片阵列,同时改变其物相结构与微观形貌,整体提升了钒氧化物纳米片阵列的电化学性能;一步还原法工序简单,便于操作,易于产业化;采用本发明的制备方法得到的钒氧化物纳米片阵列具有较大的比表面积,层次分明且均一,材料结构稳定,具有优异的电化学性能,可作为正极活性材料应用在锌离子电池,可以与电解液更加充分地接触以提供更多的活性位点,同时,其较大的晶格间距可以存储更多的锌离子,从而整体提升其储锌性能。
搜索关键词: 一种 氧化物 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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