[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210862332.5 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115707242A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 金昶泛;金成勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/40 | 分类号： | H10B41/40;H10B41/30;H10B43/40;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳永娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域。单元区域包括：堆叠在衬底上的栅电极层；沿第一方向延伸、延伸穿过栅电极层并连接到衬底的沟道结构；以及沿第二方向延伸并在栅电极层上方连接到沟道结构的位线。外围电路区域包括连接到位线的页缓冲器。每个页缓冲器包括第一元件和第二元件，第一元件和第二元件在第二方向上彼此相邻并且在第二方向上共享在第一元件的第一栅极结构和第二元件的第二栅极结构之间的公共有源区域。公共有源区域的边界包括沿与第二方向形成0度和90度之间的角度的倾斜方向延伸的倾斜边界。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210862332.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于双向线路相间变压器的转换器
- 下一篇：中继设备的以太网暂停聚合
