[发明专利]包括电荷陷阱位点的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210858453.2 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN116209276A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 具元泰;徐东益 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了包括电荷陷阱位点的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一电极、设置在第一电极上的铁电层、设置在铁电层上的介电层、设置在介电层的内部区域中的电荷陷阱位点以及设置在介电层上的第二电极。介电层可以具有非铁电性质。介电层与铁电层设置于第一电极与第二电极之间且彼此串联连接。该半导体器件可以包括分布在具有非铁电性质的介电层的内部区域中的电荷陷阱位点。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电荷 陷阱 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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