[发明专利]方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210847533.8 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115274853A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 廖巍 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 涂三民;曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管及其制备方法，包括N‑型衬底、N‑型外延层、P‑型柱、P+型体区、N+型源区、P+型阱区、栅极氧化层、栅极导电多晶硅、隔离层、正面金属层与互联柱；在N‑型外延层内设有在X方向上为间隔设置、在Y方向上为连续设置的若干条P‑型柱；在每条P‑型柱的顶部均设有在Y方向上为间隔设置的P+型体区，相邻两条P‑型柱顶部的P+型体区呈错位设置，在X方向上，互联柱与P+型阱区配合将N+型源区分隔成两个单独的部分。本发明可在同等面积下实现更低的导通电阻与开关电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 方胞源区 带有 dummy 结构 多层 外延 mos 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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