[发明专利]基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装结构及工艺有效
| 申请号： | 202210844469.8 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN114914196B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;张贺辉;王诗兆;田志强;东芳;张月馨 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 齐晨涵 |
| 地址： | 430072 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装结构及工艺，该结构包括芯粒、中介层、第一再布线层、第二再布线层、焊球、塑封层等。该结构基于对中介层的设计实现双面扇出，在中介层硅基正面采用等离子体刻蚀得到TSV盲孔并在表面沉积绝缘层；在TSV盲孔中电镀填充铜柱并在上方制作第一层再布线层和凸块。并行的在临时玻璃载板上涂层并制作第二再布线层，并与上述中介层键合。通过导电材料实现中介层凸块与芯粒下方凸块电连接，并塑封。去除临时玻璃载板，并植球以便实现下一层互连。该结构实现双面扇出便于芯粒堆叠，且双层互连层结构降低了信号串扰问题，减少了封装工艺和降低封装成本，中介层由外部工艺提供加速了制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 概念 局部 中介 2.5 封装 结构 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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