[发明专利]一种压接型IGBT模块不同位置故障下芯片寿命预测方法在审

专利信息
申请号: 202210833664.0 申请日: 2022-07-15
公开(公告)号: CN115099520A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 康永强;王兆赟;党露芝;张嘉琳;蒲绪宏;马钟任;史志鹏;李帅兵;李宏伟;董海鹰 申请(专利权)人: 兰州交通大学
主分类号: G06Q10/04 分类号: G06Q10/04;G06F30/23;G06F111/04;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14
代理公司: 兰州塞维思知识产权代理事务所(普通合伙) 62208 代理人: 焦海红
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了压接型IGBT模块不同位置故障下芯片寿命预测方法,属于电力电子器件可靠性分析技术领域。方法包括建立压接型IGBT模块几何模型;设置不同材料的参数;根据各个物理场的耦合关系,考虑电学、热学、力学约束,设定压接型IGBT模块的仿真条件;仿真分析不同位置的芯片故障后对其他芯片应力及温度分布的影响;利用寿命预测模型,计算IGBT模块不同位置芯片故障时的寿命。本发明相较于现有技术中关注的在IGBT内部芯片正常运行时对于IGBT内部的温度场和应力场的建模和仿真,本发明结果对于压接型IGBT模块的可靠性分析具有重要的理论意义与重大的工程运行指导意义。
搜索关键词: 一种 压接型 igbt 模块 不同 位置 故障 芯片 寿命 预测 方法
【主权项】:
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