[发明专利]形成谐振器结构的方法和谐振器结构在审
| 申请号： | 202210829446.X | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115549627A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 克雷格·莫伊;杰弗里·M·莱西奇;杰弗里·B·谢利 | 申请（专利权）人： | 阿库斯蒂斯有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张德才 |
| 地址： | 美国北卡罗来纳州亨特维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了形成谐振器结构的方法和谐振器结构。可以通过以下来提供形成谐振器结构的方法：在基板上形成一个或更多个模板层，(a)在模板层上外延形成AlScN层至第一厚度，(b)在AlScN层上外延形成AlGaN中间层至显著小于第一厚度的第二厚度，以及重复操作(a)和(b)直到所有AlScN层和AlGaN中间层的总厚度为模板层上的单晶AlScN/AlGaN超晶格谐振器结构提供目标厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 谐振器 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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