[发明专利]一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构在审
| 申请号： | 202210829425.8 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115050812A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 周锌;陈浪涛;吴中华;疏鹏;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗单粒子效应的高压LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、埋氧层、栅氧层、槽氧化层、场氧化层、N型外延、P型阱区、P型埋层区、源区P+注入、槽底部P+注入、N型阱区、源区N+注入、漏区N+注入、多晶硅、金属、介质槽。本发明通过在P型阱区下引入新的电极，为单粒子辐射产生的空穴电流提供一条额外的泄漏路径，避免器件内部寄生晶体管的开启。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 烧毁 高压 ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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