[发明专利]一种基于MDM型纳米腔结构在审
| 申请号： | 202210810137.8 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115372325A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 聂国政;谭迪文;李德琼;占世平;李宗霖;钟防 | 申请（专利权）人： | 湖南科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/31;C09K11/85;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙) 44434 | 代理人： | 董杨 |
| 地址： | 411201 湖南省湘潭市雨湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于MDM型纳米腔结构，其从上至下依次包括银纳米环层、UCNPs层、银底层；并且在银纳米环层的各个银纳米环上，均对称设置了两个可以自由开启或关闭的缺口，并且可以调节缺口开口的角度；还可以通过银纳米环半径的变化，实现吸收光谱中吸收光面积和上转换荧光增强因子值的调节。通过以上设置，可以实现MDM型纳米腔对外接具有特定范围波长光源的高效吸收，并且使得MDM型纳米腔在特定波长范围内具有可调节的吸收光谱，即使得其吸收光谱实现自由的吸收强度调节，以及光谱红移或蓝移的调节，最终实现灵活地控制上转换发射的发射光谱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mdm 纳米 结构 | ||
【主权项】：
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