[发明专利]一种基于MDM型纳米腔结构

权利要求书

1.一种基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述MDM型纳米腔结构从上至下依次包括银纳米环层、UCNPs层、银底层；

其中，所述银纳米环层由三个半径不等的银纳米环构成，分别为银纳米内环、银纳米中环和银纳米外环，所述银纳米内环、银纳米中环和银纳米外环互为共享圆心的同心环；

所述银纳米内环、银纳米中环和银纳米外环上均对称设置有两个活动性缺口，分别为A-F，任意一个活动性缺口均可设置为开启或关闭状态，且活动性缺口A-F均在同一直线S上，所述直线S为某一条通过以所述银纳米环的圆心的直线；

所述银纳米内环、银纳米中环和银纳米外环分别对入射波长740-890nm、920-1090nm和1420-1780nm具有响应。

2.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述活动性缺口A-F的开口角度为1-15°。

3.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述银纳米内环的外半径取值范围为53-65nm；所述银纳米中环的外半径取值范围为108-120nm；所述银纳米外环的外半径取值范围为186-198nm。

4.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述银纳米环层中，所述银纳米内环与银纳米中环之间的间隔为23-47nm，所述银纳米中环与银纳米外环之间的间隔为46-70nm。

5.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述银纳米内环、银纳米中环和银纳米外环等高度等宽度，所述高度为40-70nm，所述宽度为10-30nm。

6.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述UCNPs层的厚度为15-35nm。

7.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述UCNPs层的介电常数为1.40-1.47。

8.根据权利要求1所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述基于MDM型纳米腔结构外接激发光源，所述激发光源对所述基于MDM型纳米腔结构以照射光进行持续照射。

9.根据权利要求8所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述激发光源的照射光的波长范围在700-2000nm。

10.根据权利要求6所述基于MDM型纳米腔结构，其特征在于，所述UCNPs层所用敏化剂，选自Nd³⁺、Yb³⁺和Er³⁺的一种或多种。