[发明专利]一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法在审
| 申请号： | 202210802144.3 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN115132260A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 余忠宇;黄斌;魏琪;周健 | 申请（专利权）人： | 上海恩阶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵旭 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可提高flash存储单元使用寿命的数据存储及读取方法，存储方法包括：设置数据在flash内的起始存储地址，起始存储地址有两个并分别对应分属两个扇区的两个存储单元，两个存储单元用于按照预设顺序分别存储数据的高位字符和低位字符；判断高位字符是否发生变化，是则同时擦写两个扇区，否则只擦写与低位字符相对应的扇区，并记录擦写次数；判断擦写次数是否达到最大计数值，是则将数据清零并将后续接收到的数据的高位字符和低位字符按照相反顺序分别存储在两个所述存储单元中，并在擦写次数再次达到最大计数值后将数据清零，同时启用后续的另两个存储单元，否则继续执行上一步。本发明能够均衡各存储单元的擦写次数，提高flash使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 flash 存储 单元 使用寿命 数据 读取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海恩阶电子科技有限公司，未经上海恩阶电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210802144.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
