[发明专利]一种基于β辐射伏特效应的同位素电池在审
| 申请号： | 202210800637.3 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115064296A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 梁磊;贾鹏;秦莉;雷宇鑫;宋悦;王玉冰;邱橙;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 陈陶 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于β辐射伏特效应的同位素电池，根据换能单元个数不同可以分为单层同位素电池、双层同位素电池、三层同位素电池，甚至一直扩展到N层同位素电池(包含N个换能单元和N‑1个同位素源，N≥4)，通过巧妙的设计实现多层同位素电池叠层封装结构。该多层同位素电池包括绝缘壳体、绝缘限位卡具和电池模组，电池模组置于绝缘壳体内，限位卡具置于绝缘壳体内部两侧。目的是针对目前β辐射伏特效应同位素电池能量转换效率偏低、输出电流小、输出功率低且多采用低能同位素源的现状，针对不同材料换能单元，提出一种通用的基于辐射伏特效应的多层同位素电池及其封装结构，能有效提升同位素电池输出性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 辐射 伏特 效应 同位素 电池 | ||
【主权项】：
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