[发明专利]一种基于β辐射伏特效应的同位素电池

权利要求书

1.一种基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，包括绝缘壳体、绝缘限位卡具以及电池模组，所述电池模组位于所述绝缘壳体内，所述绝缘限位卡具夹持所述所述电池模组并固定在所述绝限壳体内，其中所述电池模组具有至少一层具有β辐射伏特效应的同位素电池。

2.根据权利要求1所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述绝缘壳体为具有一开口的矩形容器，沿所述开口相对的在所述所述绝缘壳体的两个内壁上设置用于放置所述绝缘限位卡具的限位槽，所述绝缘限位卡具与所述限位槽扣合后固定所述电池模组。

3.根据权利要求2所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述绝缘限位卡具包括第一限位卡具和第二限位卡具，所述第一限位卡具和所述第二限位卡具具有用于限位所述电池模组的安装缺口，所述安装缺口与所述电池模组相抵靠。

4.根据权利要求1所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述电池模组为单层同位素电池，所述电池模组由下至上依次包括热沉、第一过渡电极、第二过渡电极、焊料、第一半导体换能单元、第一放射性同位素组件和金丝，所述第一过渡电极设置在所述热沉上，所述焊料设置在所述第一过渡电极上，所述第一半导体换能单元设置在所述焊料上，所述第一放射性同位素组件放置在所述第一半导体换能单元上，所述第一半导体换能单元包括第一N面电极和第一P面电极，所述第一N面电极与所述焊料连接，所述第一P面电极通过所述金丝与所述第二过渡电极连接。

5.根据权利要求4所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述电池模组为带辐致荧光-光伏材料的单层同位素电池，所述电池模组还包括第一闪烁材料层，所述第一闪烁材料层设置在所述第一半导体换能单元上，所述第一放射性同位素组件放置在所述第一闪烁材料层。

6.根据权利要求1所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述电池模组为双层同位素电池，所述电池模组由下至上依次包括热沉、第一过渡电极、第二过渡电极、焊料、第一半导体换能单元、第二半导体换能单元、第一放射性同位素组件、第一金丝501、第二金丝502和第三金丝，所述第一过渡电极和所述第二过渡电极设置在所述热沉上，所述焊料设置在所述第一过渡电极上，所述第一半导体换能单元设置在所述焊料上，所述第一放射性同位素组件放置在所述第一半导体换能单元上，所述第二半导体换能单元设置在所述第一放射性同位素组件上，所述第一半导体换能单元包括第一N面电极和第一P面电极，所述第一N面电极与所述焊料连接，所述第一P面电极通过所述第一金丝与所述第二过渡电极连接，所述第二半导体换能单元包括第二N面电极和第二P面电极，所述第二P面电极通过第二金丝502与所述第二过渡电极连接，所述第二N面电极与所述第一过渡电极通过所述第三金丝连接。

7.根据权利要求6所述的基于β辐射伏特效应的同位素电池，其特征在于，所述电池模组为带辐致荧光-光伏材料的双层同位素电池，所述电池模组还包括第一闪烁材料层和第二闪烁材料层，所述第一闪烁材料层设置在所述第一半导体换能单元上，所述第一放射性同位素组件放置在所述第一闪烁材料层上，所述第一放射性同位素组件上设置有所述第二闪烁材料层，所述第二闪烁材料层上设置所述第二半导体换能单元，所述第二P面电极与所述第二闪烁材料层相接触。